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霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS

產(chǎn)品簡介：霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS系統(tǒng)可用于半導體組件性能表征，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數(shù)。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-05-21

廠商性質：生產(chǎn)廠家

訪問量：2879

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產(chǎn)品介紹

霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS 介紹：

基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（zui高溫度可達240°C）可保證所有應用領域環(huán)境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數(shù)個特斯拉強度的固定或者可變磁場。

基于測量軟件可顯示的視窗內(nèi)容包括I-V和I-R數(shù)據(jù)圖。

系統(tǒng)可測試多種材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可測量),金屬膜,氧化物等,樣品測試時便可完成系統(tǒng)功能演示。


霍爾效應測量系統(tǒng) L79/HCS 特點：

•載流子濃度

•電阻率

•遷移率

•電導率

•α(水平電阻值/垂直電阻值)

•霍爾常數(shù)

•磁致電阻


技術參數(shù)：

輸入電流:500nA到10mA (500nA步長)

霍爾電壓:0.5到4.5V

極限分辨率:65pV

樣品形狀:15x15,20x20,25x25mm,高度可達5mm

磁場強度:可達 1T

傳感器:液氮溫度到240°C

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